NTTがAlNトランジスタ、SiCやGaN超えの超低損失パワーデバイスへ - ITpro
4/22/2022 12:00:00 AM3 yearsago
by 土屋 丈太＝日経クロステック／日経エレクトロニクス
by 土屋 丈太＝日経クロステック／日経エレクトロニクス
NTTは2022年4月22日、窒化アルミニウム（AlN）トランジスタを開発したと発表した。AlNは、次世代パワーデバイスの材料として、NTTなど一部の研究所で基礎研究が進められている。物性上は炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）よりも損失が小さく耐圧が高いことから、カーボンニュートラルとの親和性が高い。
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