ALD法で酸化物半導体を三次元構造へ均一に成膜 - EE Times Japan

東京大学と奈良先端科学技術大学院大学の共同研究グループは、酸化インジウムの成膜に原子層堆積（ALD）法を用いる技術を開発、この技術を活用して三次元垂直チャネル型の強誘電体／反強誘電体トランジスタメモリを開発した。

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