三代寬能隙半導體進入爆發期這家要火了 - 工商時報

隨著5G基礎建設及電動車快速發展，支援高頻高速且能在高溫環境中運作的氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等第三代寬能隙半導體進入成長爆發期，然而傳統晶片焊接技術出現熱阻抗問題，熱阻較低的燒結銀技術成為最佳解法，利機（3444）奈米燒結銀膠獲國際大廠認證及採用，下半年將放量出貨。利機因為面板驅動IC相關產品出貨下滑，5月合併營收月減22.5％達0.91億元，較去年同期減少15.0％，累計前五個月合併營收5.03億元，較去年同期成長0.7％。利機表示，5月營收雖然下滑，但因佣金模式占比提升，實質獲利不

5GGaNSiC3444 IC522.50.9115.05.030.7545 BTHPCIC5CapillaryHeat Sink GaNSiC5G 175°C200 W/mK GaNSiC Q3 DRAM

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