3나노 카드 쥔 삼성, 파운드리 1위 TSMC 따라잡기 잰걸음 - IT조선

삼성전자가 이번 주중 세계 최초로 차세대 게이트올어라운드(GAA·Gate-All-Around) 기반 3나노미터(㎚=10억분의 1ｍ) 공정 양산에..

GAA 3 TSMC (FinFET) . GAA 1 3 3GAE 7 50%, 45% 35% .3 10% , 2 3 3GAP(3 Gate-All-Around Plus) 2024 . 3 30% . DS 30% " " . 3 . HPC( ), , IoT . , . " ( ) TSMC " . 3 , TSMC . 1 16.3% 2021 4(18.3%)… [+77 chars]

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