Tömeggyártásra alkalmas a Samsung első 3 nm-es eljárása - PROHARDVER!

A GAAFET tranzisztorstruktúrát használó node jelentős előrelépést biztosít az 5 nm-es opcióhoz viszonyítva.

A Samsung bejelentette, hogy tömeggyártásra alkalmas a 3 nm-es eljárásuk, amely egyben az iparág els, GAAFET tranzisztorstruktúrát használó megoldása is. Mindez jelents fegyvertény a dél-koreai óriás… [+868 chars]

full article...