Samsung починає виробництво чипів на базі 3-нм техпроцесу з архітектурою Gate-All-Around - ITC.ua - ITC.ua
7/1/2022 12:00:00 AM2 years 10 months ago
by https://www.facebook.com/vadim.karpus
by https://www.facebook.com/vadim.karpus
Компанія Samsung Electronics оголосила про початок виробництва чипів на базі свого 3-нанометрового технологічного вузла із застосуванням архітектури
Samsung Electronics 3- Gate-All-Around (GAA). , GAAFET, FinFET, , IBM, Globalfoundries Samsung, 2000 . . GAAFET ( gate-all-around FET). GAAFET ( «»). FinFET «», . Samsung GAAFET, Multi-Bridge-Chann… [+250 chars]
full article...