《半導體》富鼎攻電動車鏈 營運添翼 - Yahoo奇摩股市

【時報-台北電】金氧半場效電晶體（MOSFET）廠富鼎（8261）獲得國創半導體認購私募後，積極朝向電動車領域發展。富鼎已可量產1,200V高壓絕緣閘雙極電晶片（IGBT）模組。 碳化矽（SiC）應用亦完成600V蕭特基二極體（SBD）、900V及1,200V高壓MOSFET開發及投產，可望在鴻海MIH聯盟的電動...

-MOSFET82611,200VIGBT SiC600VSBD900V1,200VMOSFETMIH 22.955.751.26.59MOSFET716.23.342.626.299.4 MOSFET 30.08MIH IGBT1,200VIGBTMIH SiC600VSBD900V1,200VMOSFETSiCMIH( : )

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